Ширина энергетически запрещенной зоны нанопористых полупроводниковых пленок. - Жанабаев, Z.Zh.; Икрамова, S.B.; Тілеу, A.O.; Тұрлықожаева, D.A. (Eurasian Physical Technical Journal, 2020)
"Целью настоящей работы является экспериментальное выяснение причин возникновения скачков величины тока и памяти полупроводниковых нанопористых структур. Пористые наноструктуры были получены методом электрохимического травления. Вольт-амперные характеристики образцов измерялись для пористого кремния и на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника. Экспериментально показано существование скачкообразного переключения и гистерезиса тока в нанопленках пористого кремния при лазерном освещении. Обнаружена связь значений напряжения переключения с зависимостью ширины запрещенной зоны от пористости нанопленок. Эти результаты позволяют построить теорию переключения тока и его гистерезиса по положениям теории фазовых переходов второго рода. "