Абдуллаев J.; Сапаев I. Оптимизация влияния легирования и температуры на электрофизические характеристики p-n и p-i-n переходных структур. Eurasian Physical Technical Journal, [S. l.], v. 21, n. 3(49), p. 21–28, 2024. DOI: 10.31489/2024No3/21-28. Disponível em: https://phtj.buketov.edu.kz/index.php/EPTJ/article/view/1028. Acesso em: 13 дек. 2024.