[1]
Абдуллаев J. и Сапаев I., «Оптимизация влияния легирования и температуры на электрофизические характеристики p-n и p-i-n переходных структур»., Eurasian phys. tech. j., т. 21, вып. 3(49), сс. 21–28, сен. 2024.