OPTIMIZING THE INFLUENCE OF DOPING AND TEMPERATURE ON THE ELECTROPHYSICAL FEATURES OF P-N AND P-I-N JUNCTION STRUCTURES

Аннотация

В данной работе исследовано влияние легирования и температуры (при 300 К и 400 К) на характеристики кремниевых (Si) и арсенид-галлиевых (GaAs) p-n и p-i-n гомопереходных структур, используя концентрации легирующих примесей p⁺=n⁺=2∙10¹⁷ и p=n=10¹⁶ см⁻³ посредством численного расчета и моделирования. Кроме того, проанализированы три различные случаи: A) p-n, B) p⁺-n и C) p-n⁺, чтобы исследовать их влияние на распределение объемного заряда, потенциала, электрического поля, неосновных носителей заряда и вольт-амперной (I-U) характеристики при 300 К. Из полученных результатов видно, что в случае A процесс рекомбинации не наблюдается при низком напряжении в симметричном p-n переходе по сравнению с асимметричными p-n переходами в случаях B и C. Затем были измерены вольт-температурные характеристики подготовленных образцов при температуре 300 К. Калибровка кремниевых p-n гомопереходов была выполнена с использованием экспериментальных данных для проверки предложенной модели. С помощью этой комплексной модели в нашей следующей работе будет исследовано влияние различных геометрических изменений, таких как радиальный p-n переход, на электрофизические свойства.