Ширина энергетически запрещенной зоны нанопористых полупроводниковых пленок.
DOI:
https://doi.org/10.31489/2020No2/39-44Ключевые слова:
пористый кремний, запрещенная зона, вольт-амперный режим, электрохимическое травление, лазер, хаос.Аннотация
"Целью настоящей работы является экспериментальное выяснение причин возникновения скачков величины тока и памяти полупроводниковых нанопористых структур. Пористые наноструктуры были получены методом электрохимического травления. Вольт-амперные характеристики образцов измерялись для пористого кремния и на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника. Экспериментально показано существование скачкообразного переключения и гистерезиса тока в нанопленках пористого кремния при лазерном освещении. Обнаружена связь значений напряжения переключения с зависимостью ширины запрещенной зоны от пористости нанопленок. Эти результаты позволяют построить теорию переключения тока и его гистерезиса по положениям теории фазовых переходов второго рода. "
Библиографические ссылки
"1 Sun C. Q., Sun X. W., Tay B. K., Lau S. P., Huang H., Li S. Dielectric suppression and its effect on photoabsorption of nanometric semiconductors. Journal of Physics D: Applied Physics, 2001, Vol. 34, No. 15, pp. 2359.
Pan L. K., Huang H. T., Sun C.Q. Dielectric relaxation and transition of porous silicon.Journal of applied physics, 2003, Vol. 94, No. 4, pp. 2695-2700.
Pan L. K., Sun C. Q. Coordination imperfection enhanced electron-phonon interaction. Journal of applied physics, 2004, Vol. 95, No. 7, pp. 3819-3821.
Canham LT. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers.Applied physics letters, 1990, Vol. 57, No. 10, pp. 1046-1048.
Hybersen MS. Absorption and emission of light in nanoscale silicon structures.Physical review letters. 1994, Vol. 72, No. 10, pp. 1514.
Amri С., OuertaniR., HamdiA., et al. Effect of porous layer engineered with acid vapor etching on optical properties of solid silicon nanowire arrays. Materials & Design, 2016, Vol. 111, pp. 394-404.
Al-Douri Y., Badi N., Voon C. H. Etching time effect on optical properties of porous silicon for solar cells fabrication.Optik, 2017, Vol. 147, pp. 343-349.
Abd Rahim A. F., Hashim M. R., Ali N. K.High sensitivity of palladium on porous silicon MSM photodetector.Physica B: Condensed Matter, 2011, Vol. 406, No. 4, pp. 1034-1037.
Andersen O.K., Veje E. Experimental study of the energy-band structure of porous silicon.Physical review B, 1996, Vol. 53, No. 23, pp. 15643-15651.
Wolkin M.V., Jorne J., Fauchet P.M., Allan G., Delerue C. Electronic States and Luminescence in Porous Silicon Quantum Dots. Phys. Rev. Letters, 1999, Vol. 82, No. 1, pp. 197-200.
Gaburro Z., Daldossoh N., &Pavesi L. Porous Silicon.Reference Module in Materials Science and Materials Engineering, 2016, doi:10.1016/b978-0-12-803581-8.01134-6.
Praveenkumar S. et al.An experimental study of optoelectronic properties of porous silicon for solar cell application.Optik, 2019, Vol. 178, pp. 216-223.
Al-Douri Y., Ahmed N.M., Bouarissa N., Bouhemadou A. Investigated optical and elastic properties of Porous silicon: Theoretical study. Materials & Design, 2011, Vol. 32, No. 7, pp. 4088-4093.
Das M. M. et al. Estimation of oxide related electron trap energy of porous silicon nanostructures. Materials Chemistry and Physics, 2010, Vol. 119, No. 3, pp. 524-528.
Sheng C. K. et al. Characterization of thermal, optical and carrier transport properties of porous silicon using the photoacoustic technique. Physica B: Condensed Matter, 2008, Vol. 403, No. 17. pp. 2634-2638.
Zhang T. T. et al. Cr-doped BaSnO3nanoporous thin films with tunable band gap via a facile colloidal solution route. Chemical Physics, 2019, Vol. 522. pp. 91-98.
Mergen Ö. B., Arda E. Determination of Optical Band Gap Energies of CS/MWCNT Bio-nanocomposites by Tauc and ASF Methods. Synthetic Metals, 2020, Vol. 269, pp. 116539.
"
