Кремний оксидімен модификацияланған аморфты көміртек қабыршақтарының құрылымын зерттеу
DOI:
https://doi.org/10.31489/2019No1/6-11Кілт сөздер:
аморфты көміртектің құрамында кремний бар қабықшалар, атомдық-күштік микроскопия, рамандық спектроскопия, фотолюминесценция, байланыстардың гибридизациясыАңдатпа
Бұл жұмыста магнетронды ионды-плазмалық тозаңдату әдісімен аргон атмосферасында аралас нысанада алынған кремний оксидімен (a-C1-x:(SiO)x) модификацияланған аморфты көміртекті қабыршақтар қарастырылған. Қабыршақ бетінің топографиясы мен фазалық контрасты атомдық-күштік микроскопта зерттелді. Локалдық құрылымы Рамандық спектроскопиямен зерттелді. Кремний концентрациясының артуы фотолюминесценцияның өсуіне әкелетіні көрсетілген. а-C1-x:(SiO)х қабыршақтарында көміртегі гибридті sp3 байланыстарының артуынан G пиктің төмен жиілікті аймаққа ығысуы анықталған.
References
"1 Choyke W.J., Pensl G. Physical Properties of SiC. Material research society Bulletin, 1997, Vol. 22, Issue 3, pp. 25 - 29.
Vasiliev V.A., Volkov A.S., Musabekov E., Terukov E.I. Features of photoluminescence of amorphous hydrogenated carbon (а-С:Н) films. Pisma v jurnal tehnicheskoi fiziki, 1988, Vol. 14, Issue 18, pp. 1675 – 1679.
Konshina E. A. Absorption and the optical gap of a-C:H films produced from acetylene plasmas. Semiconductors, 1999, Vol. 33, Issue 4, pp. 451 – 457.
Ferrari A.C., Robertson J. Raman spectroscopy of amorphous, nanostructured, diamond-like carbon, and nanodiamond. Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 2004, No. 362, pp.2477 – 2512.
Tomastik J., Ctvrtlik R., Ingr T., Manak J., Opletalova A. Effect of Nitrogen Doping and Temperature on Mechanical Durability of Silicon Carbide Thin Films. Scientific Reports, 2018, Vol. 8, No.10428, pp. 1 – 17.
Ferrari A.C., Robertson J. Interpretation of Raman spectra of disordered and amorphous carbon. Phys. Rev. B, 2000, Vol. 61, No. 20, pp. 14095 – 14107.
"
