ПЛАТИНАМЕН ДИФФУЗИЯЛЫҚ-ЛЕГИРЛЕНГЕН ЖӘНЕ ПРОТОНДАРМЕН СӘУЛЕЛЕНГЕН КРЕМНИЙДЕГІ АҚАУ ТҮЗІЛУ ПРОЦЕСТЕРІ.
DOI:
https://doi.org/10.31489/2023No3/35-42Кілт сөздер:
кремний, платина, легирлеу, жоғары температуралы диффузия, протондық сәулеленуАңдатпа
Берілген жұмыста импеданс спектроскопиясы әдісін қолдана отырып, платинамен легирленген n-типа (n-Si) монокристалды кремнийдегі ақаудың пайда болу процестеріне технологиялық режимдердің және протондарды имплантациялаудың (дозаыс 5×1014 бөлшек / cм–2) әсері зерттелді. Кремнийдің электр өткізгіштігінің радиациялық индукцияланған өзгерістері кремнийдегі қоспалармен легирлеудің технологиялық режимдеріне айтарлықтай тәуелді екендігі анықталған. Годографтар платинамен легирлеу кремний үлгілерінің электр кедергісінің төмендеуіне әкелетінін көрсетті. 5,1·1014 бөлшектер / см2 дозада 2 МэВ энергиялы протондармен сәулелену зерттелетін кремний үлгілерінің электр кедергісінің айтарлықтай (2-3 есе) артуына әкеледі. 1200°C температурада легирленген үлгілердің радиациялық әсерге салыстырмалы түрде жоғары төзімділігі (кедергінің өзгеруі 16% - дан аспайды: иондық имплантация нәтижесінде 55 кОм-дан 65 кОм-ға дейін) 1100°C-пен салыстырғанда көлемде ион (платина) қоспаларының жоғары концентрациясына шартталған деген қорытындыға келді.
Кілт сөздері: кремний, платина, легирлеу, жоғары температуралы диффузия, протондық сәулелену.
References
Utamuradova Sh. B., Rakhmanov D.A. Effect of holmium impurity on the processes of radiation defect formation in n-Si. Physics AUC, 2022, Vol. 32, pp.132 - 136. https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2022_32/15_ PAUC_2022_132_136.pdf
Sapaev I., Sapaev B., Abdullaev D., Abdullayev J., Umarov A., Siddikov R., Mamasoliev A., Daliev K. Influence of the parameters to transition capacitance at NCDS-PSI heterostructure. E3S Web of Conferences, 2023, 383, pр.04022(1-7). doi:10.1051/e3sconf/202338304022
Yunusov M.S., Karimov M., Alikulov M.N., Begmatov K.A. The radiation-induced defects production in p-type silicon doped by impurities of transitional elements. Radiation Effects and Defects in Solids, 2000, 152(3), pp.171 – 180. doi:10.1080/10420150008211821
Utamuradova Sh.B., Stanchik A.V., Rakhmanov D.A. X-ray structural investigations of n-Si irradiated with protons. East Eur. J. Phys., 2023, 2, pp.201. doi:10.26565/2312-4334-2023-2-21
Yunusov M.S., Karimov M., Khalikov P.A. Mechanisms for thermal stability of the electrophysical properties of overcompensated n-Si〈B,S. Technical Physics Letters, 1999, 25(12), pp.969 – 970. doi: 10.1134/1.1262697
Yunusov M.S., Akhmadaliev A., Begmatov K.A. Semiconductor detector as ionising radiation dosimeter. Radiation Physics and Chemistry, 1995, 46(4-6), Part 2, pp.1287 – 1290. doi: 10.1016/0969-806X(95)00371-4.
Utamuradova Sh. B., Stanchik A.V., Rakhmanov D.A., Doroshkevich A.S., Fayzullaev K.M. X-ray structural analysis of n-Si, irradiated with alpha particles. New materials, compounds and applications, 2022, Vol.6, No. 3, pp. 214 – 219. http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/V6N3/Utamuradova_et_al.pdf
Kozlov V.A., Kozlovskiy V.V. Doping of semiconductors with radiation defects upon irradiation with protons and alpha particles. Semiconductors, 2001, Vol. 35, Is.7, pp.769-795. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/38565 [in Russian]
Galeeva A.V. Issledovanie provodimosti poluprovodnikovix struktur metodom impedansnoy spektroskopii. // Avtoreferat. 2010, Moskva. [in Russian]
Utamuradova Sh.B., Rakhmanov D.A., Doroshkevich A.S., Kinev V.A., Ponamareva O.Yu.,
Mirzayev M.N., Isayev R.Sh. IR - spectroscopy of n-Si irradiated with protons. Advanced Physical research, 2023, Vol.5, No 2, pp.72. http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N2/Utamuradova_et_al.pdf
Turgunov N.A., Berkinov E.H., Mamazhonova D.X. The influence of thermal processing on the electrical properties of silicon, alloyed nickel. Applied Physics, 2020, 3, 40. PF-20-3-40.pdf (orion-ir.ru) [in Russian]
Shehata M.M., Truong T.N., Basnet R., Nguyen H.T., Macdonald D.H., Black L.E. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2023, Volume 251, Рр.112167.
Vladikova D., Stoynov Z., Raikova G., Thorel A., Chesnaud A., Abreu J., Viviani M., Barbucci A., Presto S., Carpanese P. Impedance spectroscopy studies of dual membrane fuel cell. Electrochimica Acta, 56, 2011, pp.7955-7962. doi:10.1016/j.electacta.2011.02.007
Nijen D.A., Muttillo А, Dyck R.V., Poortmans J, Zeman М., Isabella О., Manganiello Р. Revealing capacitive and inductive effects in modern industrial c-Si photovoltaic cells through impedance spectroscopy. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2023, 260, 112486. doi:10.1016/j.solmat.2023.112486
Srivastava А., Sharma D., Srivastava S.K. Impedance spectroscopy analysis to probe the role of interface properties of surface micro-engineered PEDOT:PSS/n-Si solar cells. Organic Electronics, 2023, Volume 119, 106817. doi:10.1016/j.orgel.2023.106817
Utamuradova Sh.B., Rakhmanov D.A., Doroshkevich A.S., Genov I.G., Slavkova Z., Ilyina M.N. Impedance spectroscopy of p-Si, p-Si irradiated with protons. Advanced Physical research, 2023, Vol.5, No 1, pp.5-11. http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N1/Utamuradova_et_al.pdf
Turgunov N.A., Berkinov E.Kh., Mamajonova D.X. Decay of impurity clusters of nickel and cobalt atoms in silicon under the influence of pressure. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2021, 13(5), 05006. doi:10.21272/jnep.13(5).05006
Raikova G., Vladikova D., Stoynov Z. Differential impedance analysis of the cathode compartment in dual membrane fuel cell. Bulgarian Chemical Communications, 2011, Vol.43, Is.1, pp.133 – 137.
Stoynov Z.B., Vladikova D.E., Abrashev B.I., Slavova M.P., Burdin B.G., Mihaylova-Dimitrova E.S., Colmenares L.C., Mainar A.R., Blázquez J.A. Screening impedance analysis of Zn-air cells. Bulgarian Chemical Communications, 2018, Vol.50. pp.189 – 194.
Daliev K.S., Ahmedov M.M., Onarkulov M.K. Influence of the Temperature and Cyclic Deformations of (BixSb1–x)2Te3 Films on Their Resistance. Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 2021, 94(5). pp.1369–1373. doi: 10.1007/s10891-021-02419-1
Turgunov N.A., Berkinov E.Kh., Turmanova R.M. Accumalations of impurity Ni atoms and their effect on the electrophysical properties of Si. E3S Web of Conferences, 2023, Vol. 402, pp.14018(1-8).
doi:10.1051/e3sconf/202340214018
Utamuradova Sh.B., Daliev Sh.Kh., Stanchik A.V., Rakhmanov D.A. Raman spectroscopy of silicon, doped with platinum and irradiated by protons. E3S Web of conferences, 2023, Vol. 402. pp.14014(1-9) Vol.10.1051/e3sconf/202340214014
Turgunov N.A., Berkinov E.Kh., Turmanova R.M. The effect of thermal annealing on the electrophysical properties of samples n-Si. East European Journal of Physics, 2023, 3, pp.287-290. doi:10.26565/2312-4334-2023-3-26
Tuan P.L., Kulik M., Nowicka-Scheibe J., Żuk J., Horodek P., Khiem L.H., Phuc T.V., Anh, Nguyen Ngoc., Turek M. Investigations of chemical and atomic composition of native oxide layers covering SI GaAs implanted with Xe ions. Surface and Coatings Technology, 2020, Vol 394. doi: 10.1016/j.surfcoat.2020.125871
