Қоспаланған n-типті индий антимониді кристалдарының фотолюминесценция спектрлері
Авторлар
DOI:
https://doi.org/10.31489/2025N1/127-133Кілт сөздер:
кристалдардың фотолюминесценциясы, индий антимониді, Ферми деңгейі, қоспалау, концентрация, флуктуация, тесік, тыйым салынған аймақАңдатпа
Бұл жұмыста қоспаланған n-типті индий антимонид кристалдарының фотолюминесценциясының жан-жақты зерттеуі ұсынылған. Қоспаланған n-типті индий антимониді кристалдарының фотолюминесценциясын жан-жақты зерттеу 77 К температурада және 1∙1015 см-3-1,5∙1019 см-3 кең концентрация диапазонында жүргізілді. Бұл жұмыста n > 5∙1017 см-3 индий антимонидінің фотолюминесценция спектрлері алғаш рет алынды және n ≥ 8,5∙1016 см-3 индий антимонидінің фотолюминесценция спектрі екі сызықтан тұратыны эксперименттік түрде анықталды, олардың максимумдары концентрация артқан сайын жоғары энергияға жаққа қарай ығысады. Зерттеу барысында n-типті қоспаланған индий антимонид кристалдарының қысқа толқынды сәулелену сызығының Ферми деңгейіндегі электрондардың валенттік зонаның жоғарғы бөлігіндегі тесіктермен рекомбинациясынан туындайтыны анықталды. Күшті қоспаланған кристалдардағы эксперимент пен теория арасындағы ең жақсы сәйкестікке донор концентрацияларының ауытқуын, тыйым салынған аймақ ені мен қоспалану деңгейінің арасындағы тәуелділікті, сондай-ақ концентрация өскен сайын Ферми энергиясының тиімді төмендеуін ескеру арқылы қол жеткізілді.
References
Palasyuk T., Jastrzebski C., Khachapuridze A., Litwin-Staszewska E., Suski T., Grzegory I., Porowski S. (2024) Influence of pressure on phonon properties of indium antimonide. Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 18(9), 54-59. https://doi.org/10.1002/pssr.202400093
Monnens W., Billiet N., Binnemans K., et al. (2024) Electrodeposition of indium antimonide (InSb) from dimethyl sulfoxide-based electrolytes. Journal of Solid State Electrochemistry, 28, 3755–3768. https://doi.org/10.1007/s10008-024-05947-x
Shafa M., Akbar S., Gao L., et al. (2016) Indium antimonide nanowires: Synthesis and properties. Nanoscale Research Letters, 11, 164. https://doi.org/10.1186/s11671-016-1370-4
Cakiroglu D., Perez J.-P., Evirgen A., Lucchesi C., Pierre-Olivier C., Taliercio T., Tournié E., Vaillon R. (2019) Indium antimonide photovoltaic cells for near-field thermophotovoltaics. Solar Energy Materials and Solar Cells, 203. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2019.110190
Tsvetkova O.Yu., Shtykov S.N., Zhukov D.N., Smirnova T.D. (2021) Synthesis and study of some properties of colloidal quantum dots of indium antimonide. Izvestiya of Saratov University. Chemistry. Biology. Ecology, 21(4), 378-381. https://doi.org/10.18500/1816-9775-2021-21-4-378-381 [in Russian]
Ledentsov N.N., Lott D.A. (2011) A new generation of vertical-emitting lasers as a key element of the computer communication era. Advances in Physical Sciences, 181(8), 884–890.
Kozlov R.Yu., Kormilitsina S.S., Molodtsova E.V., Zhuravlev E.O. (2021) Growing indium antimonide single crystals with a diameter of 100 mm by the modified Chochralsky method. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering, 24(3), 190-198. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-3-190-198 [in Russian]
Averkiev N.S., Egemberdieva S.Sh., Kalinin B.N., Konstantinov O.V., Rogachev A.A., Filipchenko A.S. (1985) Photoluminescence of highly alloyed crystals of nn-type indium-antimonide. Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 1326–1330. Available to: https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1046
Komkov O.S., Firsov D.D., Lvova T.V., Sedova I.V., Semenov V.A., Soloviev A.N., Ivanov S.V. (2016) Photoreflection of indium antimonide. Physics of the Solid State, 58(12), 2394–2400. https://doi.org/10.1134/S1063783416120106
Velichko A.A., Ilushin V.A. (1993) Electrophysical properties of indium antimonide films obtained by molecular beam epitaxy. Electronic Industry, 8, 48-50.
Titkov A. N., Chaikina E.I., Komova E.M., Ermakova N.T. (1981) Low-temperature luminescence of degenerate p-type direct-bandgap semiconductors. FTP (Semiconductors Physics and Technology, 15(2), 345-352. [in Russian]
Allen L.P., Flint P.J., Meschew G., Dallas G., Bakken D., Brown G.J., Khoshakhlagh A., Hill C. J. (2011) 100mm diameter GaSb substrates with extended IR wavelength for advanced space-based applications. SPIE Proceedings: Infrared Technology and Applications XXXVII, 8012, 801215. https://doi.org/10.1117/12.882937
Downloads
Жарияланды
How to Cite
Журналдың саны
Бөлім
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
