РОСТ КРИСТАЛЛОВ WS2 МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ПАРОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ.
Ключевые слова:
дихалькогенид переходного металла, химическое осаждение из газовой фазы, оксид вольфрамаАннотация
Изучены синтез и характеристика монокристаллов WS2, выращенных методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), путем сульфуризации тонкого слоя оксида вольфрама на кварцевой подложке. Синтез WS2 проводился при 800-1000°C в системе CVD. Пар серы транспортировался аргоновым газом (500 sccm). Получены монокристаллы WS2, исследованы на оптическом микроскопе, проведен Рамановский анализ и фотолюминесценция. Оптический микроскоп показал образование треугольных однофазных кристаллических структур доменов WS2. Толщина WS2составляет 6 слоев, что определяется комбинационной спектроскопией. Анализ фотолюминесцентной спектроскопии показал сильный пик между 600-660 нм, как правило для монослойного кристалла WS2, где ширина запрещенной зоны равна 1.96 эВ.
Библиографические ссылки
"1 Zeng H. L. , Liu G.B., Dai J., Yan Y., Zhu B., He R., Xie L., Xu S., Chen X., Yao W., Cui X. «Optical signature of symmetry variations and spin-valley coupling in atomically thin tungsten dichalcogenides» Sci. Rep., 2013 , Issue 3, pp. 1608.
Matte H. S. S. R., Gomathi A., Manna A. K., Late D. J., Datta R., Pati S. K., Rao C. N. R., «MoS2 and WS2 analogues of graphene», Angew Chem Int Edit., 2010, Issue 49, pp. 4059 .
Shaikenova A., Beisenov R.Ye., Muratov D.A., «Synthesis of graphene by chemical vapor-phase deposition (CVD) », Proceeding of the 10th International Scientific Conference «Chaos and Structures in Nonlinear Systems. Theory and Experiment», Almaty, June 16-18, 2017, pp. 310 – 314.
"
